IBM и Intel вложат в Вниз в Олбани $4,4 млн
IBM и Intel добились договора об инвестировании 4,4 млн долл. в образование центра изучения и формирования нанотехнологий в г. Олбани, штат New-York, рассказывает Electronista.
Компании, в партнерстве с «Самсунг», Global Foundries и TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Корпорэйшн), будут вкладывать в образование центра на протяжении 5-летнего времени. В роли помощи администрация штата New-York инвестирует 400 млрд долл. в Институт наноразмерной науки и инжиниринга (College of Nanoscale Science and Engineering), размещающийся в Олбани.
Инвестирование пройдет в 2 раунда. Первый, возглавляемый IBM и её партнёрами, будет устремлен на изготовлении компьютерных чипов следующих 2-ух поколений. В процессе 2-го раунда, исполняемого общими действиями Intel, IBM, TSMC, Global Foundries и «Самсунг», особое внимание будет уделяться вопросам переустройства существующей 300-мм технологии производства полупроводниковых пластинок чипов в свежую технологию с 450-мм ходом. В масштабах этой новой технологии вероятно изготовление чипов, не менее чем в два раза превышающее количество чипов, обрабатываемых на нынешних 300-мм пластинках.
Предполагается образование 1900 рабочих мест в строительной области, 2500 производственно-технологических должностей и помощь 2500 существующих.
В масштабах автономного договора Intel подтвердила образование штаб-квартиры в юго-восточной части Олбани, которая будет заниматься вопросами 450-мм технологии и производить совместное регулирование проектами.